Томский межвузовский центр дистанционного образования

А.В. Шарапов

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА

ЦИФРОВАЯ СХЕМОТЕХНИКА

Учебное пособие

T Q 1

переходов

&D 3

ТОМСК – 2007

Рецензент: зав. кафедрой промышленной и медицинской электроники Томского политехнического университета, д-р техн. наук, проф. Г.С. Евтушенко; начальник отдела ФГУП «НПЦ «Полюс», д-р техн. наук Ю.М. Казанцев

Корректор: Тарасова Л.К.

Шарапов А.В.

Микроэлектроника: Учебное пособие. - Томск: Томский межвузовский центр дистанционного образования, 2007. - 158 с.

Излагаются принципы построения и функционирования логических элементов, дешифраторов, мультиплексоров, сумматоров, цифровых компараторов, триггеров, счетчиков, регистров, микросхем памяти. Рассмотрены примеры синтеза цифровых устройств комбинационного типа и цифровых автоматов.

Пособие предназначено для студентов вузов радиоэлектронного профиля и содержит краткий конспект лекций, примеры решения задач и компьютерный лабораторный практикум по цифровой схемотехнике. Студенты дистанционной формы обучения выполняют две лабораторные работы, одну компьютерную контрольную работу и сдают компьютерный экзамен.

Шарапов А.В., 2007Томский межвузовский центр

дистанционного образования, 2007

1 Введение..........................................................................................

2 Основные понятия микроэлектроники..................................

Виды сигналов.........................................................................

Классификация микросхем и их условные обозначения....

3 Математические основы цифровой электроники.................

Позиционные системы счисления.........................................

Таблица истинности................................................................

Совершенная дизъюнктивная нормальная форма...............

Основные законы булевой алгебры.......................................

Диаграммы Венна...................................................................

Карты Карно............................................................................

Этапы синтеза цифрового устройства...................................

Примеры синтеза цифровых устройств................................

Мажоритарный логический элемент.....................................

4 Базовые логические элементы..................................................

Классификация логических элементов.................................

Базовый элемент ТТЛ.............................................................

Логический расширитель.......................................................

Элемент с открытым коллектором........................................

Элемент с Z-состоянием на выходе.......................................

Базовый элемент ТТЛШ.........................................................

Базовая схема ЭСЛ..................................................................

Базовые элементы КМОП......................................................

4.10 Основные характеристики логических элементов.............

4.11 Примеры микросхем логических элементов......................

4.12 Микросхемы на основе арсенида галлия............................

5 Цифровые устройства комбинационного типа.....................

Шифратор................................................................................

Дешифратор.............................................................................

Преобразователи двоичного кода в двоично-десятичный,

и наоборот...............................................................................

Дешифратор для управления семисегментным

индикатором...........................................................................

Преобразователи кода Грея....................................................

Мультиплексор........................................................................

Реализация функций с помощью мультиплексора..............

Двоичный сумматор...............................................................

Двоично-десятичный сумматор.............................................

Схемы вычитания..................................................................

Преобразователь прямого кода в дополнительный...........

Цифровой компаратор..........................................................

Контроль четности................................................................

Примеры построения комбинационных цифровых

устройств................................................................................

6 Цифровые устройства последовательностного типа............

Классификация триггеров......................................................

Асинхронный RS-триггер......................................................

Тактируемый RS-триггер.......................................................

D-триггеры...............................................................................

T-триггер..................................................................................

JK-триггер................................................................................

Классификация счетчиков......................................................

Асинхронный двоичный счетчик..........................................

Асинхронный двоично-десятичный счетчик........................

Синхронный двоичный счетчик..........................................

Реверсивные счетчики..........................................................

Счетчики с произвольным модулем счета..........................

Регистры сдвига....................................................................

Регистры памяти...................................................................

Универсальные регистры.....................................................

Кольцевой регистр................................................................

Кольцевой счетчик................................................................

Счетчики на регистрах сдвига.............................................

Примеры построения цифровых устройств

последовательностного типа...............................................

7 Полупроводниковые запоминающие устройства...............

Классификация запоминающих устройств.........................

ПЗУ масочного типа.............................................................

Однократно программируемые ПЗУ...................................

Перепрограммируемые ПЗУ................................................

ОЗУ статического типа.........................................................

ОЗУ динамического типа.....................................................

Примеры микросхем памяти................................................

Организация блока памяти...................................................

8 Примеры решения задач.........................................................

9 Компьютерный практикум по цифровой схемотехнике...

10 Варианты творческих заданий.............................................

11 Пример выполнения творческого задания.........................

Список литературы......................................................................

Приложение. Условные графические обозначения

микросхем ....................................................................................

1 ВВЕДЕНИЕ

Электроникой называют раздел науки и техники, занимающийся:

– исследованием физических явлений и разработкой приборов, действие которых основано на протекании электрического тока в твердом теле, вакууме или газе;

изучением электрических свойств, характеристик и параметров названных приборов ;

практическим применением этих приборов в различных устройствах и системах.

Первое из указанных направлений составляет область физической электроники . Второе и третье направления составляют областьтехнической электроники.

Схемотехника электронных устройств - это инженерное воплощение принципов электроники для практической реализации электронных схем, призванных выполнять конкретные функции генерирования, преобразования и хранения сигналов, несущих информацию в слаботочной электронике и функции преобразования энергии электрического тока в сильноточной электронике.

Исторически электроника явилась следствием возникновения и быстрого развития радиотехники . Радиотехнику определяют как область науки и техники, занимающуюся исследованиями, разработкой, изготовлением и применением устройств и систем, предназначенных для передачи информации по радиочастотным каналам связи.

В основе радиотехники лежат научные открытия XIX века: работы М. Фарадея (англ.), выяснившего закономерности взаимодействия электрического и магнитных полей; Дж. Максвелла (англ.), обобщившего элементарные законы электромагнетизма и создавшего систему уравнений, описывающих электромагнитное поле. Дж. Максвелл теоретически предсказал новый вид электромагнитных явлений - электромагнитные волны, распространяющиеся в пространстве со скоростью света. Г. Герц (нем.) экспериментально подтвердил существование электромагнитных волн.

Первый радиоприемник был изобретен, сконструирован и успешно испытан в 1895 г. А.С. Поповым (рус.). Годом позже радиосвязь осуществил Г. Маркони (итал.), запатентовавший свое изобретение и ставший Нобелевским лауреатом в 1909 году.

С этих пор развитие радиотехники определялось развитием

ее элементной базы, которая в основном определяется достижениями электроники. Интересно вкратце проследить за основными этапами развития ее элементной базы.

Простейший электронный прибор - вакуумный диод - был изобретен Т. Эдиссоном (амер.) в 1883 г., который вмонтировал металлический электрод в баллон электрической лампы накаливания и зарегистрировал ток одного направления во внешней цепи. В 1904 г. Дж. Флемминг (англ.) впервые применил вакуумный диод в качестве детектора в радиоприемнике. Усилительный электровакуумный прибор - триод - был изобретен Луи де Форестом (амер.) в 1906 г. С этих пор в течение первой четверти ХХ столетия в ряде научных лабораторий многих стран мира происходило медленное созревание технологий электровакуумных приборов. В России это направление возглавил руководитель нижегородской лаборатории М.А. Бонч-Бруевич. Уже в 1922 г. сотрудники этой лаборатории построили в Москве первую

в мире радиовещательную станцию им. Коминтерна мощностью 12 кВт. А к 1927 г. было построено 57 таких станций. В 1925 г. была создана генераторная лампа мощностью 100 кВт. В 1933 г. в России вступила в строй мощнейшая в мире (500 кВт) радиостанция. Первый телевизионный передатчик мощностью 15 кВт введен в строй в Москве в 1948 г. А.И. Берг в 1927–1929 гг. создал классическую теорию передатчиков. В.А. Котельниковым в период с 1933 по 1946 гг. доказана теорема квантования по времени, заложившая основу цифровых методов обработки сигналов, показана возможность радиосвязи на одной боковой полосе и опубликована теория потенциальной помехоустойчивости.

Период с 1920 по 1955 гг. был эрой ламповой электроники. Первый полупроводниковый триод - транзистор - создан

в 1948 г. Дж. Бардиным и У. Браттейном (амер.). С 1955 г. начинается эра полупроводниковой электроники. Первые интегральные схемы появились в 1960-е годы. Первый микропроцессор датируется 1971 г.

В 1998 году транзистор отметил свой полувековой юбилей:

в последний июньский день 1948 года американская фирма «Bell telephon laboratoris» продемонстрировала общественности только что изобретенный электронный прибор, о котором назавтра «НьюЙорк Таймс» сообщила буднично и без пафоса: «Рабочие элементы прибора состоят из двух тонких проволочек, прижатых к кусочку полупроводникового вещества... Вещество усиливает ток, подводимый к нему по одной проволочке, а другая проволочка отводит усиленный ток. Прибор под названием «транзистор» в некоторых случаях можно использовать вместо электронных ламп».

Да, именно так выглядел первый транзистор, и неудивительно, что даже специалисты не сразу смогли разглядеть его триумфальное будущее. А между тем представленный прибор мог усиливать и генерировать электрические сигналы, а также выполнять функцию ключа, по команде открывающего или запирающего электрическую цепь. И, что принципиально важно, все это осуществлялось внутри твердого кристалла, а не в вакууме, как это происходит в электронной лампе. Отсюда следовал целый набор потенциальных достоинств транзистора: малые габариты, механическая прочность, высокая надежность, принципиально неограниченная долговечность. Через три-четыре года, когда были разработаны значительно более совершенные конструкции транзисторов, все эти ожидаемые достоинства начали становиться реальностью.

Честь открытия транзисторного эффекта, за которое в 1956 году была присуждена Нобелевская премия по физике, принадлежит У. Шокли, Дж. Бардину, У. Браттейну. Характерно, что все трое были блистательными физиками, целенаправленно шедшими к этому открытию. Шокли, руководитель группы исследователей, еще в предвоенные годы читал лекции по квантовой теории полупроводников и подготовил фундаментальную монографию, которая надолго стала настольной книгой для специалистов в этой области. Высочайшая квалификация Бардина как физика-теоретика подтверждена не только изобретением транзистора и предсказанием ряда эффектов в поведении полупроводников, но и тем, что позднее, в 1972 году, совместно с двумя другими исследователями он был повторно удостоен Нобелевской премии - теперь за создание теории сверхпроводимости. Браттейн, самый старший в группе, к моменту изобретения

транзистора имел за плечами пятнадцатилетний опыт исследования поверхностных свойств полупроводников.

Хотя само открытие транзисторного эффекта явилось до некоторой степени счастливой случайностью (говоря сегодняшним языком, они пытались изготовить полевой транзистор, а изготовилибиполярный ), теоретическая подготовка исследователей позволила им практически мгновенно осознать открытое и предсказать целый ряд гораздо более совершенных устройств. Иными словами, создание транзистора оказалось под силу лишь физикам, которые по необходимости владели еще и минимумом изобретательских навыков.

У нас в стране транзистор был воспроизведен в 1949 году во фрязинской лаборатории, возглавляемой А.В. Красиловым, крупным ученым, обладающим широчайшей эрудицией.

Первые транзисторы изготавливались на основе полупроводника германия и допускали рабочую температуру лишь до 70 °С, а этого во многих прикладных задачах было недостаточно.

Во второй половине пятидесятых годов в развитии транзисторов произошел решающий качественный скачок: вместо германия стали использовать другой полупроводник - кремний. В итоге рабочая температура транзисторов выросла до 120–150 °С, при этом их характеристики сохраняли высокую стабильность, а срок службы приборов стал практически бесконечным. Но, пожалуй, главное заключалось в том, что в 1959 году американской фирмой «Firechild» применительно к кремнию была разработана так называемаяпланарная технология. Принципиальным здесь было то, что тончайшая пленка диоксида кремния, выращенная при высокой температуре на поверхности кристалла, надежно защищает кремний от агрессивных воздействий и является отличным изолятором. В этой пленке создают «окна», через которые, также при высокой температуре, в полупроводник вводят легирующие добавки, - так изготавливаются фрагменты будущего прибора. Затем на изолированную от объема поверхность напыляют тонкопленочные алюминиевые токоподводы к активным зонам - и транзистор готов. Особенностями процесса является то, что все воздействия на пластину осуществляются в одной плоскости и что обеспечивается одновременная обработка тысяч и миллионов

транзисторов на пластине, а это ведет к высочайшей степени воспроизводимости изделий и высокой производительности.

Методами планарной технологии легко обеспечить изоляцию транзисторов от подложки и друг от друга, а отсюда лишь шаг до создания интегральной схемы (микросхемы ), т. е. созда-

ния электронной схемы с активными и пассивными компонентами и их соединениями на едином кристалле в едином технологическом процессе. Этот шаг был сделан в том же 1959 году. Мир вступил в эру микроэлектроники .

Типичная микросхема представляет собой кремниевый кристаллик (чип), в приповерхностной области которого изготовлено множество транзисторов, соединенных между собой пленочными алюминиевыми дорожками в заданную электрическую схему. В первой микросхеме «множество» состояло всего лишь из 12 транзисторов, но уже через два года уровень интеграции превысил сто элементов на чипе, а к середине 60-х годов стали доминировать большие интегральные схемы (БИС), содержащие тысячи элементов, затем - сверхбольшие (СБИС) и т. д.

Микросхема обладает тем большей информационной мощностью, чем большее количество транзисторов она содержит, т. е. чем выше плотность интеграции (плотность упаковки активных элементов в кристалле). А она определяется минимальными размерами активного элемента и площадью кристалла, которые способна воспроизводить технология.

Изложенные в данном учебном пособии основы цифровой схемотехники формируют схемотехнические навыки построения цифровых устройств на базе интегральных микросхем. Изучается принцип работы простейших логических элементов и методы проектирования на их основе преобразователей кодов, сумматоров, цифровых коммутаторов, триггеров, регистров, счетчиков, микросхем памяти. Проверить работу многих устройств можно путем компьютерного моделирования с помощью пакета Electronics Workbench.

Рекомендуемый список литературы включает прежде всего справочники по цифровым интегральным микросхемам. Из других источников, используемых в данном учебном пособии, хочется отметить работы доцентов ТУСУРа Потехина В.А. и Шибаева А.А. , которым автор выражает искреннюю благодарность.

Я рассказывал о логических элементах – «кирпичиках» слагающих фундамент цифровой техники и об их назначениях. В этом посте я расскажу более подробно о применении цифровых микросхем содержащих логические элементы.

Простейшие схемы

Первая схема представляет собой простейший пробник для прозвонки электрических цепей. С помощью данного пробника можно определить надёжность электрического контакта, найти обрыв в цепи, проверить исправность резисторов и полупроводниковых диодов и транзисторов.

Схема пробника для прозвонки электрической цепи.

Опишем его работу. При разомкнутых щупах ХТ на входах логического элемента DD1 относительно общего провода устанавливается высокий логический уровень напряжения. Соответственно на выходе элемента DD1 будет низкий логический уровень, при этом светодиод VD1 не будет гореть. Если щупы замкнуть между собой, то на входе DD1 будет низкий логический уровень, а на выходе – высокий. Светящийся диод сообщит о том, что выходы замкнуты между собой. Таким образом, при подключении щупов к исправной цепи будет загораться светодиод, а если светодиод не горит – значит, в цепи имеется обрыв.

Следующая схема, представленная ниже, представляет собой логический пробник . Предназначенный он для определения логического уровня напряжения в электрических цепях цифровых устройств.


Схема логического пробника.

В исходном состоянии на входах логического элемента DD1 и выходе DD2 устанавливается высокий логический уровень, соответственно светодиод VD1 горит. При включении светодиодов в цепь с высоким логическим уровнем светодиод VD1 продолжает гореть, а когда на входе DD1 появится низкий логический уровень, то светодиод VD1 соответственно погаснет.

Дальнейшее повествование о применении цифровых микросхем не возможно без знания внутреннего устройства цифровых ТТЛ и КМОП микросхем и их передаточных характеристиках .

Внутреннее устройство цифровых микросхем ТТЛ

Все семейства цифровых микросхем, основываются на базовых логических элементах . Для всех микросхем семейства ТТЛ таким элементом является элемент 2И-НЕ , который имеет следующее внутреннее устройство. Ниже показано схема элемента 2И-НЕ и его переходная характеристика


Схема базового элемента ТТЛ 2И-НЕ и его переходная характеристика.

На входе элемента стоит многоэмиттерный транзистор VT1, затем усилительный каскад на транзисторе VT2 и двухтактный выходной каскада на транзисторах VT3, VT4.

Опишем работу логического элемента 2И-НЕ. В исходном состоянии входное напряжение не превышает 0,5 В, а эмиттерный переход транзистора VT1 открыт, данного напряжения не достаточно для перевода коллекторного перехода в открытое состояние, то же относится и к эмиттерным переходам транзисторов VT2, VT4. Поэтому данные транзисторы закрыты, а транзистор VT3 – открыт, напряжением, поступающим с R2. Диод VD3 оказывается открытым и на выходе элемента напряжение составляет примерно 3…4 В (точка А ). Когда начинается увеличиваться напряжение на эмиттерах VT1, то транзистор VT2 начинает открываться, а транзистор VT3 плавно закрываться (участок А – Б ). Дальнейшее увеличение напряжения на входном транзисторе приводит к тому, что транзистор VT2 ещё больше открывается, напряжение на R3 тоже возрастает и открывается транзистор VT4. В результате, эмиттерный переход транзистора VT4 шунтирует резистор R3, и транзистор VT2 резко открывается, а напряжение на выходе элемента уменьшается. В этот момент (участок Б – В ) все транзисторы открыты и находятся в активном режиме. Если продолжать увеличивать входное напряжение, то транзисторы VT2 и VT4 перейдут в режим насыщения (участок В – Г ), а транзистор VT3 закроется и значение выходного напряжения станет равным напряжению насыщения транзистора VT4, а ток будет ограничен резистором R4.

Участок Б – В переходной характеристики можно использовать для обработки аналоговых сигналов , в данном режиме переходная характеристика обладает высокой линейностью и максимальной потребляемой мощностью.

Внутреннее устройство цифровых микросхем КМОП

Так же как и в ТТЛ семействе, КМОП микросхемах базовым элементом является 2И-НЕ , внутреннее устройство которого показано ниже


Схема базового элемента КМОП 2И-НЕ и его переходная характеристика.

В данном логическом элементе работают комплементарные полевые транзисторы . Транзисторы с каналом р-типа (VT1, VT2) подключены к положительному проводнику источника питания, с каналом n-типа (VT3, VT4) соединены последовательно.

При входном напряжении 2 В и менее транзисторы VT1 и VT2 открыты, так как напряжение на участках затвор – исток (при напряжении питания 9 В) составляет не менее 7 В. Напряжение на таких же участках транзисторов VT3 и VT4 оказывается недостаточным для их открывания, поэтому на выходе элемента будет напряжение, почти равное напряжению питания, то есть около 9 В (точка А ). По мере увеличения входного напряжения транзисторы начинают открываться, а VT1 и VT2 закрываться. На участке А – Б этот процесс происходит сравнительно плавно, а на участке Б – В он ускоряется и наиболее линеен. В точке В транзисторы VT1 и VT2 почти полностью закрыты, а VT3 и VT4 открыты. Выходное напряжение в этом случае невелико и при дальнейшем увеличении входного напряжения до уровня источника питания оно стремиться к нулю (точка Г ).

Логический элемент в линейном режиме

Использование логических элементов цифровых микросхем для работы с аналоговыми сигналами возможно лишь в случае, если их режим выведен в линейный или близкий к нему. Так в линейном режиме ТТЛ элемент эквивалентен усилителю к коэффициентом усиления 10 … 15 (примерно 20 дБ), а элемент КМОП – усилителю с коэффициентом усиления 10 … 20 (20 … 26 дБ).


Вывод логического элемента в линейный режим: слева-направо током, напряжением, обратной связью.

Для вывода логического элемента на линейный участок применяют различные способы. Один из них основан на включении на входе элемента ТТЛ резистора R . Этот резистор вызовет ток, который будет протекать через эмиттерный переход входного транзистора элемента ТТЛ. Изменяя сопротивление внешнего резистора, можно изменять напряжение на выходе элемента, то есть изменять положение его рабочей точки на передаточной характеристике. Для элементов ТТЛ сопротивление такого внешнего резистора составляет от 1 кОм до 3 кОм. Однако такой способ не применим для КМОП микросхем , так как они работают без выходных токов (есть токи утечки, но они малы и нестабильны).

Второй способ вывода логического элемента на рабочий режим может быть подача на вход соответствующего напряжения , например с помощью резистивного делителя . Так, для элементов ТТЛ середина линейного участка передаточной характеристики соответствует входное напряжение 1,5…1,8 В , а для КМОП 3…6 В (при напряжении питания 9 В). Для разных логических элементов это напряжение не одинаково, поэтому его подбирают опытным путём. Номиналы входных резисторов выбирают таким образом, что бы входные токи элементов не влияли на напряжение, снимаемое с резистивного делителя.

Третий способ, является наиболее эффективным, для этого создают отрицательную обратную связь (ООС) по постоянному току между входом и выходом элемента, благодаря чему рабочая точка автоматически поддерживается на требуемом участке передаточной характеристики и не требуется тщательного подбора внешних резисторов. Этот способ реализуется для логических элементов с инверсией входного сигнала: НЕ, И-НЕ, ИЛИ-НЕ.

Сопротивление резистора в цепи ООС выбирают исходя из обеспечения элементу необходимого входного тока. Для элементов КМОП оно составляет от нескольких килоом до десятков мегаом , а для ТТЛ – от десятков Ом до 1 кОм . Но применение ООС снижает коэффициент усиления элемента.

Усилители на логических элементах

Для использования логических элементов в качестве усилителей сигналов необходимо вывести рабочую точку на линейный участок передаточной характеристики. Основные характеристики таких усилителей приведены в таблице ниже.

Серия Схема
вывода в
линейный
режим
К УС,
дБ
F max ,
МГц
Р потр
мВт
U вых,
В
R вх,
кОм
R вых,
кОм
R1,
кОм
R2,
кОм
К155 OOC 18 40 20 1,2 0,6 0,05 0,68 0,68
Ток 21 0,8 1,9
К176 ООС 25 5,5 5 … 20 1,5 0,4 0,05 7,5 5,1
Ток 17 3 … 4 5,0 3,5 6 6,2 4
561 OOC 25 1000 7 1000 1000

Схема простейшего усилителя на элементе ТТЛ приведена ниже. Регулировка усилителя сводится к установке подстроечным резистором R1рабочей точки элемента на середине линейного участка передаточной характеристики.


Простейший усилитель на ТТЛ элементе

Недостатком простых усилителей является невысокое входное сопротивление , что ограничивает область их применения. К тому же коэффициент усиления небольшой. Устраняется данный недостаток использованием совместно с транзисторами. Коэффициент усиления повышается включением последовательно нескольких каскадов. Кроме того, цифровая микросхема содержит несколько идентичных элементов, это позволяет создавать многоканальные усилители. Примером может служить схема показанная ниже. Основные характеристики усилителя: коэффициент усиления – 50; выходное сопротивление 50 Ом, входное сопротивление 5 кОм, верхняя граничная частота 40 МГц.


Схема усилителя с транзистором на входе

Элементы КМОП также можно использовать для усилителей, схема одного из ни приведена ниже. Общий недостаток усилителей на элементах КМОП – высокое выходное сопротивление . Устранить его можно установкой на выходе логического элемента эмиттерного повторителя на транзисторе и включения его в цепь ООС.


Схемы усилителей на элементах КМОП.

Пороговые устройства на логических элементах

Пороговые устройства , называемые компараторами, предназначены для преобразования аналогового сигнала в цифровую информацию. Простейшим пороговым устройством является триггер Шмитта, который описан в этом . Кроме формирования импульсов и восстановлении цифровых сигналов, пороговые устройства применяют в аналогово – цифровых преобразователях, генераторах импульсов различной формы.


Схема порогового устройстван на логических элементах.

По большёму счёту логический элемент является сам пороговым устройствам, однако его передаточная характеристика не совсем линейна. Для повышения линейности передаточной характеристики логического элемента, его необходимо охватить положительной обратной связью (ПОС) по постоянному току через резистор R2. В таком случае он превращается в своеобразный триггер Шмитта с возможностью регулирования пороговых напряжений. Ширина петли гистерезиса (разность между пороговыми напряжениями) зависит от соотношения номиналов резисторов R1 и R2. От этих же резисторов зависит и чувствительность. При увеличении R2 и уменьшении R1 чувствительность повышается, а ширина петли гистерезиса уменьшается. Для микросхем ТТЛ сопротивление R1 = 0,1 … 2 кОм, а R2 = 2 … 10 кОм. Пороговые устройства на КМОП элементах отличаются высокой экономичностью, а недостатком является низкая чувствительность. Для КМОП микросхем R1 – несколько десятков килоом, а R2 – несколько сотен килоом.

Генераторы на логических элементах

Цифровые микросхемы нашли широкое применение в схемах различных генераторов с частотами от долей герца до десятков мегагерц и самой различной формой импульса. Вообще генераторы представляют собой усилительный каскад или несколько, который охвачен частотно-зависимой обратной связью . В качестве таких цепей используют RC-, LC-, RLC-цепи, а также пьезокерамические и кварцевые резонаторы.

Ниже показана схема генератора с RC частотно-зависимой цепью . Работа данного генератора связана с процессами зарядки-разрядки конденсатора С1 через резистор R1.


Схема RC-генератора

В данной схеме генератора через резистор R1 осуществляется ООС, которая выводит логический элемент в линейный режим, а через конденсатор С1 осуществляется частотно-зависимая ПОС. В таком генераторе используются как ТТЛ-элементы, так и КМОП. Сопротивление резистора R1 выбирается также как и для усилительного каскада с ООС, а емкость конденсатора – в зависимости от требуемой частоты колебаний. Частоту генерации можно определить по приближенной формуле

F \approx \frac{0,7}{RC}

При работе такой генератор вырабатывает прямоугольные импульсы со скважностью примерно равной 2. Максимальная частота генерации ограниченна величиной задержки переключения логических элементов, так для КМОП микросхем максимальная частота составляет 2 … 4 МГц , а для ТТЛ – несколько десятков МГц .

С помощью цифровых микросхем можно также получить генератор синусоидального сигнала , для этого в качестве частотно-задающей цепи необходимо использовать LC-контур . Схема такого генератора приведена ниже.


Схема LC-генератора

В качестве частотно-зависимой связи применяются как последовательный так и параллельный колебательный контур , но в любом случае частота колебаний будет соответствовать формуле Томпсона

F=\frac{1}{2 \pi \sqrt{LC}}

Сопротивление резистора R1 выбирается также как и для усилительного каскада .

Недостатком вышеописанных генераторов является невысокая стабильность генерируемой частоты. Для её повышения применяются пьезокерамические и кварцевые резонаторы, включая их в цепи обратной связи вместо конденсатора или колебательного контура.


Схема генератора с кварцевой стабилизацией частоты

Теория это хорошо, но без практического применения это просто слова.

25 апреля 2010 в 16:16

Самостоятельное изучение схемотехники. Основные понятия. Часть 1

  • Электроника для начинающих

Изучение цифровой схемотехники нужно начинать с теории автоматов. В этой статье можно найти некоторые элементарные вещи, которые помогут не потеряться в дальнейших статьях. Я постарался сделать статью легкочитабельной и уверен, что неподготовленный читатель сможет в ней легко разобраться.


Сигнал - материальный носитель информации, используемый для передачи сообщений по системе связи. Сигнал, в отличие от сообщения, может генерироваться, но его приём не обязателен (сообщение должно быть принято принимающей стороной, иначе оно не является сообщением, а всего лишь сигналом).

В статье рассматривается цифровой дискретный сигнал. Это такой сигнал, который имеет несколько уровней. Очевидно, что двоичный сигнал имеет два уровня - и их принимают за 0 и 1. Когда высокий уровень обозначается единицей, а низкий нулем - такая логика называется позитивной, иначе негативной.

Цифровой сигнал можно представить в виде временной диаграммы.

В природе дискретных сигналов не существует, по этому их заменяют аналоговыми. Аналоговый сигнал не может перейти из 0 в 1 мгновенно, по этому такой сигнал обладает фронтом и срезом .
Если рисовать упрощенно то это выглядит так:

1 - низкий уровень сигнала, 2 - высокий уровень сигнала, 3 - нарастание сигнала (фронт), 4 - спад сигнала (срез)

Сигналы можно преобразовывать. Для этого на практике используются логические элементы, а чтобы это записать формально используются логические функции. Вот основные:

Отрицание - инвертирует сигнал.
На схемах обозначается так:

Логическое ИЛИ (логическое сложение, дизъюнкция)

На схеме:

Логическое И (логическое умножение, конъюнкция)

На схеме:

Последние два могут иметь отрицание на выходе (И-НЕ, ИЛИ-НЕ). Значения их логических функций инвертируются, а на схеме выход рисуется кружочком.

Сводная таблица логических функций двух аргументов выглядит так:

Работа с логическими функциями основывается на законах алгебры логики , основы которых изложены в прикрепленном файле. Так же там есть задания для самоконтроля и контрольные вопросы по теме.

Проектирование логических схем с помощью функций алгебры логики

Логической схемой называется совокупность логических электронных элементов, соединенных между собой таким образом, чтобы выполнялся заданный закон функционирования схемы, иначе говоря, - выполнялась заданная логическая функция.
По зависимости выходного сигнала от входного все электронные логические схемы можно условно разбить на:

Схемы первого рода , т.е. комбинационные схемы , выходной сигнал которых зависит только от состояния входных сигналов в каждый момент времени;

Схемы второго рода или накапливающие схемы (схемы последовательностные ), содержащие накапливающие схемы (элементы с памятью ), выходной сигнал которых зависит как от входных сигналов, так и от состояния схемы в предыдущие моменты времени.

По количеству входов и выходов схемы бывают: с одним входом и одним выходом, с несколькими входами и одним выходом, с одним входом и несколькими выходами, с несколькими входами и выходами.

По способу осуществления синхронизации схемы бывают с внешней синхронизацией (синхронные автоматы), с внутренней синхронизацией (асинхронные автоматы являются их частным случаем).

Практически любой компьютер состоит из комбинации схем первого и второго рода разной сложности. Таким образом, основой любого цифрового автомата, обрабатывающего цифровую информацию, являются электронные элементы двух типов: логические или комбинационные и запоминающие . Логические элементы выполняют простейшие логические операции над цифровой информацией, а запоминающие служат для ее хранения. Как известно, логическая операция состоит в преобразовании по определенным правилам входной цифровой информации в выходную.

Можно считать, что элементарные логические функции являются логическими операторами упомянутых электронных элементов, т.е. схем. Каждая такая схема обозначается определенным графическим символом. (Они были представлены выше - Элементы И, ИЛИ, НЕ, ИЛИ-НЕ, И-НЕ)

В качестве примера ниже представлена схема электрическая функциональная логического преобразователя (комбинационного автомата), реализующего логическую функцию в элементном базисе из логических элементов И, ИЛИ, НЕ.

Для закрепления предлагаю, самостоятельно синтезировать логическую схему, реализующую следующие логические функции:

Сделать это можно к примеру в Electronic workbench.

Вот для примера первое выполненное задание:

PAGE 173

Курс лекций Техническая электроника

Лекция 26

ОСновы цифровой схемотехники

26.1 логические элементы

В цифровых вычислительных машинах, устройствах автоматики и обработки информации используют устройства, осуществляющие логические операции.

Логическая операция - это преобразование по правилам алгебры логики (или булевой алгебры) входной цифровой информации в выходную.

Простейшее в функциональном отношении логическое устройство, выполняющее одну определенную логическую операцию над входными сигналами, называют логическим элементом .

В алгебре логики истинность суждения или высказывания о результатах той или иной логической операции обозначают символом 1, ложность - 0. Таким образом, логические переменные в алгебре логики принимают лишь два значения: единицу и нуль . Их называют двоичными переменными. Чтобы реализовать алгебру логики на электронных элементах, необходимо значение параметров этих элементов перевести на язык алгебры логики (0 или 1). Задавать значения параметров можно уровнем напряжения или полярностью импульсов.

Если сигналы подают в виде высокого (положительной или отрицательной полярности) и низкого (близкого к нулю) уровня напряжения, то такой способ подачи сигнала называют потенциальным. Если высокому уровню напряжения U 1 приписывают значение "единица", а низкому U ° - "нуль", то логику называют положительной (позитивной) , в противном случае - отрицательной (негативной). Разность уровней единицы и нуля называют логическим перепадом U л = U 1 - U 0 . Он должен быть значительным, иначе нельзя будет четко отделить один уровень от другого.

Если сигналы подают в импульсной форме, то такой способ подачи сигнала называют импульсным. При этом логической единице соответствует наличие импульса, логическому нулю - отсутствие импульса (положительная логика). Сигналы, соответствующие 1 (или 0), могут быть на входе и выходе разными. Наибольшее распространение получили потенциальные логические элементы, так как их можно изготовлять по технологии интегральных микросхем.

Элементарные логические операции и типы логических элементов .

Система логических элементов, на базе которой можно строить логическую схему любой сложности, называется функционально полной . Основными и наиболее простыми логическими элементами являются элементы, выполняющие операции отрицания (НЕ), конъюнкции (И), дизъюнкции (ИЛИ). Они составляют функционально полную систему и являются системой минимального базиса. Каждая из этих операций и логических элементов имеет и другое название (табл. 26.1).

Таблица 26.1 Таблица истинности четырёх логических элементов

В этой таблице даны названия логических элементов, обозначение данной операции, показано, как читается запись операции, обозначаются логические элементы в функциональных схемах, а также таблица истинности для случая, когда имеется два входа и один выход. Таблица истинности содержит правила и результат выполнения операций. В каждой ее строке записывают состояние сигналов на входах (х 1 , х 2 ) и результат логической операции на выходе (у). В общем случае логический элемент может иметь n входов и n выходов.

Функционально полную систему могут обеспечить составные (комбинированные) логические элементы, выполняющие логические операции И - НЕ, ИЛИ - НЕ . Их названия, обозначения также даны в табл. 26.1.

Логические элементы выполняют как на дискретных приборах, так и методами интегральной технологии. Для большинства серий интегральных микросхем базисной системой являются составные логические элементы И - НЕ или ИЛИ - НЕ. Их выпускают в виде отдельных микроминиатюрных устройств в герметичном корпусе.

Рассмотрим логические элементы на полупроводниковых приборах. Логические элементы И и ИЛИ могут выполняться на резисторах, диодах, биполярных и полевых транзисторах и туннельных диодах. Элемент НЕ выполняется на транзисторах.

Составные логические элементы на разных ступенях могут выполняться на различных приборах (резисторах, диодах, транзисторах, как биполярных, так и полевых), т. е. могут иметь разные схемные варианты. В соответствии с конструкцией их называют логикой типа резисторно-транзисторной (РТЛ); диодно-транзисторной (ДТЛ); транзисторно-транзисторной (на биполярных транзисторах - ТТЛ; на полевых - р-канальная МОПТЛ, n -канальная МОПТЛ; на комплементарных полевых транзисторах - КМОП или КМОПТЛ; на транзисторах с эмиттерными связями - ТЛЭС или ЭСЛ).

Специфической логикой на транзисторах является инжекционная логика - И2Л, она не имеет аналогов в транзисторных схемах на дискретных элементах. Связь между ступенями логических элементов осуществляется либо непосредственно, либо через резистор, либо через RC -цепочку. Тогда в название логики добавляют соответствующие буквенные обозначения: НСТЛ - транзисторная логика с непосредственной связью; НСТЛМ - транзисторная логика с непосредственной связью на МОП-транзисторе; РЕТЛ - транзисторная логика с резистивно-емкостной связью.

Основные логические элементы в дискретном исполнении .

Логический элемент НЕ (табл. 26.1) имеет один вход и один выход и выполняет операцию НЕ. Он представляет собой усилительный каскад на биполярном или полевом транзисторе, работающий в ключевом режиме. На рис. 26.1 показан элемент НЕ на биполярном npn транзисторе, включенном по схеме с ОЭ.

Элемент предназначен для работы с сигналами положительной полярности в положительной логике. Транзистор T закрыт отрицательным потенциалом на базе, подаваемым от источника ЕБ. При подаче на вход элемента сигнала низкого уровня U вх = U 0 , соответствующего логическому 0, транзистор остается закрытым, коллекторный ток равен нулю, т. е. через резистор R K ток не проходит и на выходе напряжение U вых = +E K , т. е. высокого уровня U 1 , соответствующего логической 1.

При высоком уровне напряжения на входе U вх = U 1 транзистор находится в режиме насыщения, появляется коллекторный ток и на резисторе R K создается падение напряжения, примерно равное E K , а на выходе напряжение примерно равно нулю (U вых = U 0 ), т. е. будет логический нуль. Итак, если х = 0, то y = 1, если x = 1, то y = 0, т. е. элемент является инвертором - выполняет операцию отрицания .

Замечание: Следует отметить, что если элемент выполнен на кремниевом транзисторе n-р-n-структуры, источник смещения E Б можно не включать, так как и при положительных потенциалах на базе (до 0,6 В) транзистор практически закрыт.

Логический элемент И (табл. 26.1)

Может иметь два (или более) входа и один выход и работать как при потенциальных, так и импульсных сигналах. Аналогом его может служить схема из последовательно включенных контактов реле. Рассмотрим работу элемента И, выполненного на диодах.

Элемент, предназначенный для работы с сигналами в виде напряжений (или импульсов) положительной полярности в положительной логике , показан на рис. 26.3, а. Он имеет три входа и один выход. Элемент реализует операцию И, если сигнал 1 появляется на выходе только тогда, когда одновременно на всех входах присутствует сигнал 1 . При этом, если хотя бы на одном входе присутствует сигнал, соответствующий логическому нулю, он должен передаваться через открытый диод на выход и обеспечивать запирание тех диодов, на которые со стороны входа воздействуют сигналы, соответствующие логической 1. Будем считать, что сопротивление открытого диода R доткр << R, а потенциалы сигнала и источника питания E схемы имеют значения, удовлетворяющие соотношению U 0 < Е < U 1 .

Если на одном из входов цепи, например Bх 1 действует сигнал U 0 , то диод Д 1 будет открыт и ток пройдет по цепи +E, резистор R, диод Д 1 , источник U 0 . Все напряжение источника Е приложится к резистору R и на выходе напряжение окажется равным U 0 , т. е. сигнал на выходе - логический нуль. На остальных входах действует высокий потенциал U 1 , поэтому диоды закрыты, так как их анод подсоединен к зажиму на выходе с низким потенциалом U 0 , а катоды - к высокому положительному потенциалу U 1 .

Если на всех входах действует напряжение U 1 , то все диоды будут закрыты, ток в цепи +E K , R, закрытый диод, источник U 1 не проходит и падение напряжения на резисторе R равно нулю. На выходе напряжение E > U 0 , что соответствует логической 1. Таким образом, если хотя бы на один из входов воздействует сигнал, соответствующий логическому нулю, сигнал на выходе также соответствует логическому нулю. Сигнал на выходе соответствует логической 1 только если сигналы на всех входах соответствуют логической единице.

На рис. 26.3,б, г, д показаны элементы, предназначенные соответственно для работы с сигналами отрицательной полярности в положительной логике, положительной (рис. 26.3, г) и отрицательной (рис. 26.3, д) полярности в отрицательной логике. Отметим, что один и тот же элемент может работать как от положительных, так и от отрицательных сигналов, но полярность включения источника питания для положительных сигналов должна быть положительной (+E), для отрицательных сигналов - отрицательной (-E). Работают элементы так же, как и элемент на рис. 26.3, а. Наиболее распространены элементы, показанные на рис. 26.3, а, д.

Элемент И может работать и без источника питания. В этом случае возможны только два варианта включения диода, причем элемент на рис. 26.3, в реализует операцию И только от сигналов отрицательной полярности в положительной логике, а элемент на рис. 26.3, е - только от сигналов положительной полярности в отрицательной логике. Элементы без источника питания менее предпочтительны, чем с источником питания.

Логический элемент ИЛИ (табл. 26.1)

Может иметь два (и более) входа, один выход и работать как при потенциальных, так и при импульсных сигналах. Аналогом его может служить схема из параллельно включенных реле.

Рассмотрим элемент ИЛИ, выполненный на диодах и предназначенный для работы от сигналов в виде напряжений (импульсов) положительной полярности в положительной логике. Для того чтобы элемент реализовал операцию ИЛИ, необходимо, чтобы сигнал на выходе имел значение 1 только тогда, когда хотя бы на одном из входов действует сигнал 1 . При этом сигнал 1 на входе должен обеспечивать запирание всех диодов, на которые со стороны входа воздействует сигнал 0. Соотношение потенциалов источника сигналов низкого U 0 и высокого U 1 уровней и источника питания Е схемы такое же, как и в схеме элемента И: U 0 < E < U 1 (если U 1 < E, то диоды будут всегда закрыты и выходное напряжение не будет изменяться). Сопротивление диода в открытом состоянии R Доткр ≈ 0.

Если на все входы подано низкое напряжение U 0 , все диоды закрыты, так как потенциал их анодов ниже потенциала катодов (φ K = -E); следовательно, напряжение на выходе равно E < U 1 , т. е. на выходе сигнал соответствует логическому 0. При подаче хотя бы на один из входов, например Вх 1 , высокого напряжения U 1 откроется диод Д 1 , который подключен к этому входу, а так как сопротивление открытого диода равно нулю, то потенциал φ K = +U 1 и на выходе имеется сигнал U 1 (логическая 1). Если в это время на какие-то диоды со стороны входа будет подан низкий потенциал U 0 , они окажутся закрытыми, так как их катодам сообщится потенциал φ K = +U 1 . Таким образом, на выходе сигнал будет соответствовать логической 1, если хотя бы на одном из входов (или первом, или втором, или третьем) сигнал соответствует логической 1.

Сравним рис. 26.5, а, на котором показан элемент ИЛИ, предназначенный для работы от сигналов положительной полярности в отрицательной логике, с рис. 26.3, г. Они одинаковы. Таким образом, можно отметить, что элемент ИЛИ в положительной логике может выполнить операцию И в отрицательной логике, и наоборот. Все элементы И на рис. 26.3 в другой логике, чем для элемента И, реализуют операцию ИЛИ.

Элемент ИЛИ, как и элемент И, может не содержать источника питания. Элемент на рис. 26.5,б предназначен для работы от сигналов положительной полярности в положительной логике, а на рис. 26.5, в - от сигналов отрицательной полярности в отрицательной логике. Сравнение этих элементов ИЛИ с элементами И на рис. 26.3, в, е подтверждает, что оба элемента могут выполнять обе операции: и И, и ИЛИ; элемент И (ИЛИ) - в положительной логике, в отрицательной логике - ИЛИ (И).

Операции ИЛИ - НЕ и И - НЕ образуются путем инверсии результатов, получаемых при выполнении операции ИЛИ и И соответственно:

ИЛИ - НЕ (26.1)

И - НЕ (26.2)

что видно из таблицы истинности для двух входных элементов (табл. 26.2).

Таблица 26.2 - таблица истинности для двух входных элементов

Элемент, выполняющий операцию И - НЕ в положительной логике (табл. 26.3), в отрицательной логике выполнит операцию ИЛИ - НЕ (табл. 26.4).

Таблица 26.3 Таблица 26.4

Логические элементы в интегральном исполнении предназначают для работы с сигналами в потенциальной форме. Они могут выполняться по логике разных типов. Тип логики влияет на характеристики элемента. В интегральных биполярных микросхемах чаще используют кремниевые транзисторы n-p-n-типа (см. замечание к элементу НЕ). В режиме насыщения напряжение между эмиттером и коллектором таких транзисторов сравнительно велико (0,4 В и выше).

Лекция 27

ОСновы цифровой схемотехники

27.1 логические элементы на транзисторах

Логический элемент И - НЕ диодно-транзисторной логики (ДТЛ). Входные сигналы подаются на элемент И, выходной сигнал снимается с элемента НЕ . Таким образом, на выходе элемента И - НЕ сигналом будет логическая 1, если на входе элемента НЕ присутствует сигнал, соответствующий логическому 0. Чтобы это имело место, хотя бы на один вход элемента И должен быть подан сигнал, соответствующий логическому 0. Логический элемент И - НЕ для сигналов положительной полярности показан на рис. 27.1. Он представляет собой соединение через диоды Д с двух элементов: диодного элемента И и транзисторного элемента НЕ (см. соответственно рис. 26.3, а и рис. 26.1, на которых показаны элементы НЕ и И). При этом элемент "НЕ" не имеет источника смещения E Б , исходя из сделанного ранее замечания о работе кремниевых транзисторов. Кроме того, значения напряжений, соответствующих логическим 0 и 1, необходимо выбрать должным образом, так как при напряжении на базе, несколько меньшем 0,6В, транзистор будет закрыт, а в режиме насыщения напряжение между эмиттером и коллектором равно 0,4 В (и выше).

Рассмотрим работу элемента. Если на все входы подано напряжение U 1 (логическая 1), все диоды (Д 1 Д 2 , Д 3 ) будут закрыты и ток в цепи источник E 1 , резистор R 1 , открытые диоды Дc пройдет в базу транзистора. Вследствие падения напряжения на резисторе R 1 потенциал φ 1 окажется несколько ниже потенциала +E 1 , диод Д 1 будет открыт и потенциал базы φ Б транзистора меньше потенциала φ 1 на значение падения напряжения на диодах Дc (но выше 0,6В, так что транзистор будет находиться в режиме насыщения). На выходе элемента НЕ установится низкое напряжение U 0 , соответствующее логическому 0. Если хотя бы на один вход, например Вх 1 , будет подано напряжение U 0 , то соответствующий диод Д 1 будет открыт и потенциал φ 1 будет ≈ U 0 . Ток от источника E 1 будет проходить через резистор R 1 . Часть тока замкнется через открытый диод Д 1 ; источник U 0 , источник E 1 , часть - через смещающие диоды Дc, резистор R 2 и источник E 1 . Потенциал базы φ Б = U БЭ будет ниже потенциала φ 1 на значение падения напряжения на смещающих диодах Дc. При этом элемент рассчитывают таким образом, чтобы падение напряжения на диодах Дc было таким, чтобы φ Б = U БЭ > 0, но значительно меньше 0,6В. В этом случае транзистор будет закрыт и на выходе элемента НЕ напряжение окажется равным E K > U 0 , т. е. получим логическую 1.

Логический элемент И - НЕ транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ) . Простейший элемент И - НЕ показан на рис. 27.2, а. Он состоит из двух частей: элемента И на многоэмиттерном транзисторе Т 1 и элемента НЕ на транзисторе Т 2 . Связь непосредственная: коллектор Т 1 соединен с базой транзистора Т 2 . Смещение в цепи базы транзистора Т 2 выполняет коллекторный переход Т 1 . Три эмиттерных перехода Т 1 подключенных к входу элемента (рис. 27.2,б), выполняют функции входных диодов в схеме И на диодах.

По сравнению с ДТЛ-элементами элементы ТТЛ обладают более высоким быстродействием. Элемент выполнен по технологии интегральных микросхем, поэтому он не содержит реактивных элементов. Он работает от сигналов в виде напряжений положительной полярности.

Рассмотрим принцип работы подобных элементов. Если на все входы подать напряжение U 1 , то все эмиттерные переходы сместятся в обратном направлении. Потенциал коллектора транзистора Т 2 окажется близким нулю, переход база - коллектор смещен в прямом направлении за счет источника +E K . Транзистор T 1 будет в инверсном режиме, транзистор Т 2 - в режиме насыщения. Коллекторный ток транзистора T 1 втекает в базу транзистора Т 2 , оставляя последний в режиме насыщения. Таким образом, на выходе будет напряжение низкого уровня U 0 , т. е. логический 0.

Если на один из входов подано напряжение U 0 , то потенциал базы транзистора T 1 станет выше потенциалов эмиттера и коллектора, поэтому T 1 окажется в режиме насыщения и ток базы замкнется через эмиттерные переходы T 1 и не поступит в его коллектор, а следовательно, и в базу T 2 . Поэтому транзистор T 2 будет закрыт, а на его выходе - напряжение высокого уровня (логическая 1). Таким образом, элемент выполняет операцию И - НЕ, так как сигнал логического нуля на выходе может быть только тогда, когда на все входы будет подан сигнал логической единицы.

27.2.1 Логический элемент ИЛИ - НЕ п-канальной МОП-транзисторной логики (МОПТЛ ). В логических схемах на полевых транзисторах используют только МОП-транзисторы с диэлектриком SiO 2 . Основные преимущества схем на МОП-транзисторах по сравнению с другими схемами - высокая степень интеграции и повышенная помехоустойчивость.

Рассмотрим схему ИЛИ - НЕ на МОП-транзисторе с индуцированным n-каналом (рис. 27.3). В отличие от рассмотренных ранее схем в ней вместо нагрузочного резистора R K имеется МОП-транзистор (на схеме рис. 27.3 он обозначен Т K ). Это связано с тем, что нагрузочный резистор сильно увеличил бы площадь схемы. Логические транзисторы Т 1 и Т 2 включены параллельно. Входное напряжение на каждом из них равно напряжению затвора: U ВХ1 = U ЗИ1 , U ВХ2 = U ЗИ2 ; выходное напряжение равно напряжению стока: U ВЫХ = U СИ . Напряжение питания обычно выбирают в три раза большим порогового Uпор (Uпор - напряжение на затворе, при котором образуется канал).

Если Uпор = 2,0В, то логический перепад (разность между входным и пороговым напряжениями) составляет 4 В. Логические уровни соответствуют выходным напряжениям открытого и закрытого транзисторов. Если на оба входа подать напряжение меньше порогового (соответствующее логическому нулю), то транзисторы T 1 и Т 2 окажутся закрытыми, а ток стока - практически равным нулю. При этом ток стока нагрузочного транзистора Т K тоже будет равен нулю. Поэтому на выходе установится напряжение, близкое к напряжению источника питания Е C и соответствующее логической 1.

Если на вход хотя бы одного транзистора подать напряжение, превышающее пороговое (соответствующее логической 1), то этот транзистор откроется и появится ток стока. Тогда на выходе схемы будет остаточное напряжение, значительно меньшее порогового, что соответствует логическому 0.

27.2.2 МОП-транзисторная логика на комплементарных транзисторах (КМОП). Отличительной особенностью схем КМОП по сравнению с биполярными технологиями (ТТЛ, ЭСЛ и др.) является очень малое энергопотребление в статическом режиме (в большинстве случаев можно считать, что энергия потребляется только во время переключения состояний). Отличительной особенностью структуры КМОП по сравнению с другими МОП-структурами (N-МОП, P-МОП) является наличие как n-, так и p-канальных полевых транзисторов (рис. 27.4); как следствие, КМОП-схемы обладают более высокой скоростью действия и меньшим энергопотреблением, однако при этом характеризуются более сложным технологическим процессом изготовления и меньшей плотностью упаковки.

Для примера рассмотрим схему вентиля 2И-НЕ, построенного по технологии КМОП (рисунок 27.5).

Если на оба входа A и B подан высокий уровень, то оба транзистора снизу на схеме открыты, а оба верхних закрыты, то есть выход соединён с землёй.

Если хотя бы на один из входов подать низкий уровень, соответствующий транзистор сверху будет открыт, а снизу закрыт. Таким образом, выход будет соединён с напряжением питания и отсоединён от земли.

В схеме нет никаких нагрузочных сопротивлений, поэтому в статическом состоянии через КМОП-схему протекают только токи утечки через закрытые транзисторы, и энергопотребление очень низкое. При переключениях электрическая энергия тратится в основном на заряд емкостей затворов и проводников, так что потребляемая (и рассеиваемая) мощность пропорциональна частоте этих переключений (например, тактовой частоте процессора).

Схема 2ИЛИ-НЕ (рисунок 27.6) работает следующим образом: когда на оба входа подан низкий уровень, оба транзистора вверху открыты и на выход подаётся высокий уровень. Если на один из входов подать высокий уровень, тогда один из транзисторов снизу будет открыт и выход будет соединён с землёй.

На рисунке с топологией микросхемы 2И-НЕ можно заметить, что в ней используются два двухзатворных полевых транзистора разных конструкций. Верхний двухзатворный полевой транзистор выполняет логическую функцию 2ИЛИ, а нижний двухзатворный полевой транзистор выполняет логическую функцию 2И.

Ниже приведена схема 2ИЛИ-НЕ, применяемая на ОАО "Интеграл".

Все обозначения на рисунке 27.6 взяты с библиотеки вентильного уровня ОАО "Интеграл". Там же (в библиотеке) приведены временные задержки и рассеиваеме мощности при различных нагрузках вентиля и его топоплогическая реализация.

Подавляющее большинство современных логических микросхем, в том числе, процессоров, используют схемотехнику КМОП.

ЛЕКЦИИ

По дисциплине

"Организация и функционирование ЭВМ"

для учащихся

специальности 2-40 01 01«Программное обеспечение информационных технологий»

Ошмяны 2010 г.


АННОТАЦИЯ

На лекционный материал по дисциплине "Организация и функционирование ЭВМ" для учащихся специальности 2-40 01 01 «Программное обеспечение информационных технологий», разработанный преподавателем УО «Ошмянский государственный аграрно-экономический колледж» М.Г. Шаткевич.

Актуальность методического материала, его значение. Данный набор лекций представляет собой комплекс материалов, необходимых для качественной организации работы учащихся на практических занятиях по освоению дисциплины " Организация и функционирование ЭВМ" для учащихся специальности 2-40 01 01 «Программное обеспечение информационных технологий»,

Лекции разработаны в строгом соответствии с действующим в УО «Ошмянский государственный аграрно-экономический колледж» Положением об учебно-методических комплексах дисциплин. В состав комплекса вошли лекции по всем разделам дисциплины «Организация и функционирование ЭВМ».

Возможность практического применения. Комплекс лекций может быть рекомендован преподавателям при подготовке и проведении занятий по дисциплине "Организация и функционирование ЭВМ" для учащихся специальности 2-40 01 01 «Программное обеспечение информационных технологий», а также учащимся дневной формы обучения при самостоятельном изучении.

Заключение цикловой комиссии. Комплекс лекций рассмотрен на заседании цикловой комиссии юридических дисциплин и информационных технологий, рекомендован к внутриколледжскому использованию (протокол №___ от «____»______________________20___г.).


Введение. 4

Представление информации в ЭВМ... 5

Коды с выявлением ошибок. 9

Коды с исправлением ошибок. 10

Раздел 2. Алгебра логики и теоретические основы синтеза цифровых устройств . 11



Элементы математической логики. 11

Формы логических функций и их использование для синтеза логических схем.. 13

Логические элементы и схемы. Классификация логических устройств. 15

Методы минимизации логических функций. 17

Раздел 3. Синтез комбинационных схем .. 18

Этапы построения логической схемы.. 18

Мультиплексоры и демультиплексоры.. 20

Дешифраторы и шифраторы.. 22

Компараторы, сумматоры.. 24

Раздел 4. Триггерные элементы цифровых устройств . 25

Классификация триггеров и их общие характеристики. Асинхронный RS-триггер и его разновидности 25

Асинхронные триггеры с одним входом.. 27

Cинхронные триггеры.. 29

Раздел 5. Синтез цифровых автоматов . 31

Регистры. Регистр сдвига. 31

Счетчики по mod M. Реверсивные счетчики. Синтез последовательных схем.. 33

Раздел 6. Современное состояние и перспективы развития элементной базы и средств вычислительной техники . 35


Введение

Курс Организация и функционирование ЭВМ построен на фундаментальном утверждении о том, что: Компьютер можно рассматривать как иерархию структурных уровней организации.

Это утверждение в равной мере относится как к аппаратной организации, так и к структуре и организации программного обеспечения. На верхнем уровне иерархии находятся проблемно ориентированные программные средства, такие, как Mathcad (для решения математических задач), Visual Basic для офисных приложений, уровнем ниже расположены процедурно ориентированные языки (Си/Си++, Паскаль)..., самый нижний уровень это уровень физической реализации цифровых логических элементов.

Основная цель курса: знакомство с уровнем физической реализации и с некоторыми теоретическими основами, используемыми для описания нижних уровней организации:

ü принцип цифрового представления данных в технических устройствах;

ü основы алгебры логики и ее использование для описания функционирования цифровых устройств;

ü системы счисления;

ü некоторые основные понятия цифровой схемотехники: комбинационные логические устройства и устройства с памятью (триггеры, регистры, счетчики).

Значительная часть изучаемых вопросов носит прикладной характер, и существенно помогает в обоснованном выборе подходящих приемов в конкретных ситуациях, позволяя иной раз существенно повысить эксплуатационные характеристики программных модулей (уменьшить объем потребной памяти, либо время выполнения).

Целью преподавания дисциплины «Организация и функционирование ЭВМ» является изучение физических основ построения и функционирования современных средств вычислительной техники, принципов построения и работы элементов, узлов и устройств ЭВМ. Дисциплина включает сведения об арифметических, логических и схемотехнических основах построения ЭВМ и является базовой для последующего изучения дисциплины «Микропроцессорная техника».

Дисциплина базируется на знаниях, полученных учащимися при изучении дисциплин «Математика», «Информатика».

Для изучения учебного материала предусматриваются практические и лабораторные работы. Программа дисциплины рассчитана на 68 часов, из них 34 часа – лекции, 24 часа – практические занятия, 10 часов – лабораторные занятия.

Список литературы

1. Бабич Н. П., Жуков И. А. Компьютерная схемотехника. Методы построения и

2. проектирования: Учебное пособие. – К.: «МК-Пресс», 2004

3. Жмакин А. П. Архитектура ЭВМ. - СПб.: БХВ-Петербург, 2006

4. Лысиков Б.Г. Цифровая и вычислительная техника.- Мн.: УП Экоперспектива, 2002

5. Новиков Ю. В. Основы цифровой схемотехники. Базовые элементы и схемы. Методы проектирования. М.: Мир, 2001

6. Угрюмов Е.П. Цифровая схемотехника.- СПб.: БХВ-Петербург, 2004

7. Бойко В. И. Схемотехника электронных схем. Микропроцессоры и микроконтроллеры. - СПб.: БХВ-Петербург, 2004

8. Цилькер Б. Я., Орлов С.А. Организация ЭВМ и систем. – СПб.: Питер, 2004

9. Информатика: учебник/ Б.В. Соболь – Ростов н/Д: Феникс, 2006


Раздел 1. Математические основы цифровой схемотехники